美国安华高科技（Avago Technologies）面向新一代手机和WiMAX超小型基站（Pico基站）以及Femto Cell基站上市了4种功率放大器IC。分别为输出功率1W的“ALM-31122”、“ALM-31222”、“ALM-31322”，以及输出功率2W的“ALM-32220”。与以往产品相比，线性性能和附加功率效率（PAE）均有所提高。

ALM-31122主要面向GSM或CDMA规格的手机基站，支持700M～1GHz的带宽。带宽为900MHz、电源电压为5V、电流为394mA时的性能指标方面，增益为15.6dB，输出IP3为47.6dBm，P1dB为31.6dBm，P1dB时的PAE为52.5％，噪音指数为2.0dB（均为标准值）。

ALM-31222主要面向GSM/W-CDMA规格的手机基站与WiMAX基站，支持1.7G～2.7GHz的带宽。带宽为2GHz、电源电压为5V、电流为415mA时的性能指标方面，增益为14.9dB，输出IP3为47.9dBm，P1dB为31.5dBm，P1dB时的PAE为52.6％，噪音指数为2.7dB（均为标准值）。

ALM-31322主要面向WiMAX基站，支持3.3G～3.9GHz的带宽。带宽为3.5GHz、电源电压为5V，电流为413mA时的性能指标方面，增益为13.2dB，输出IP3为47.7dBm，P1dB为31dBm，P1dB时的PAE为51.5％，噪音指数为2.8dB（均为标准值）。

ALM-32220主要面向GSM/W-CDMA规格的手机基站与WiMAX基站，支持1.7G～2.7GHz的带宽。带宽为2GHz、电源电压为5V、电流为800mA时的性能指标方面，增益为14.8dB，输出IP3为50.0dBm，P1dB为34.4dBm，P1dB时的PAE为47.5％，噪音指数为3.5dB（均为标准值）。

4种产品的电源电压均为5V。均支持A级运行和AB级运行。内置可进行温度补偿的可调整偏压电路。采用使用GaAs底板的E-pHEMT（Enhancement-mode Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor）技术制造。封装方面，ALM-31122/31222/31322采用尺寸为6mm×5mm×1.1mm的22端子MCOB（Molded Chip On Board），ALM-32220采用尺寸为10.0mm×7.0mm×1.1mm的20端子MCOB。目前均已量产供货。1000个批量购买时的参考单价方面，ALM-31122/31222/31322为3.75美元起，LM-32220为7.19美元起。

另外，该公司预定2008年6月上市输出功率为2W的、支持750MHz～1GHz带宽的“ALM-32120”与支持3.3GHz～3.9GHz带宽的“ALM-32320”两款产品。